telegram获取群组id(www.tel8.vip)_安世半导体(Nexperia)推出适用于USB4的静电放电(ESD)保护二极管件

admin 2周前 (06-16) 财经 3 0

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【TechWeb】6月16日消息,基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出两款经(jing)优化的静电放电(ESD)保护二极管件,适用于高速数据线中的重定时器和信号中继(ji)器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计,而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使{shi}用Nexperia的成熟TrEOS技术,集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。

重定时器和信号中继【ji】器是设计高速USB4接口《kou》常用的“de”器件。它们需要电路板走线变〖bian〗更短,从而降低寄生电感,但也会意外地〖di〗降低整体系统{tong}级ESD稳健《jian》性。PESD2V8Y1BSF和PESD4V0Y1BCSF较 jiao[低的超快传输线路脉冲(vfTLP)峰值钳位电【dian】压,甚至《zhi》低于标准I(V) TLP曲线中无明显的触发电压的‘de’USB4保护解决方案。这有助于补偿保护器件和重定时器之间“jian”减少的电感,从而提高整体系统级ESD稳健性。为达到ESD的预算损耗建议值,这两款器件均可提供超低插入损耗(10 GHz下为-0.29 dB)和回波损耗(10 GHz下为-20.6 dB)。与其他解决方案不同的是,电容不会随工作电压增【zeng】加,可提供完整的RF性能直到反向截止电压〖ya〗。

相较于其《qi》他ESD保护二极管件“jian”,PESD2V8Y1BSF和「he」PESD4V0Y1BCSF可直接放置在所保护器件的连接『jie』器旁边,因此{ci}可提供更大的设计灵活性。这意味着交流耦合电容也会受到保护。此外,它将大部分线路电感置于ESD保护和被保护器件之间,以优化系统的ESD性能。Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示:“Nexperia通过提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件,帮助设计工程师在预算有限的情况{kuang}下,满足高速USB4数据线的插『cha』入损{sun}耗和回波损耗要求。这两款器件在优化系 xi[统级“ji”ESD稳健性和RF性能之间实现了出色的平衡。”

为了向下兼容可通过USB Type-C连接的旧接口标准(如USB3.2),PESD2V8Y1BSF设有2.8 V的{de}反向截 jie[止电压『ya』VRWM,而PESD4V0Y1BCSF的VRWM为4 V,因此还可「ke」适用《yong》于HDMI 2.1。两款器件均使用TrEOS技术,其RF性能在动作电压范围内均不会下降。除了USB4和HDMI 2.1以外,两款器件还可用于保护PCIe和DisplayPort接口。

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